碳化硅 工艺
深入探讨碳化硅工艺：半导体材料的新一代继承者世强元件电商
2016年3月9日 碳化硅SiC材料的性能、SiC器件展现出的优良特性以及功率半导体器件的需求持续增长,激励着人们对其工艺与器件开发上孜孜不倦的追求。
4米大口径碳化硅非球面光学反射镜研制成功新华网 新华社
2018年8月23日 4米大口径碳化硅非球面光学反射镜研制成功（记者唐婷）"我们完成了 高精度碳化硅（SiC）非球面反射镜制造,对其核心制造设备以及制造工艺
β/α复合碳化硅技术陶瓷的制备工艺与性能研究《西安科技大学》2015年
【摘要】：碳化硅陶瓷具有硬度高、耐高温、耐腐蚀、抗氧化性能强、抗热震性佳、热稳定性强、热膨胀系数低以及导热系数高等优点,一直是材料学研究热点之一。本文在前
黑碳化硅微粉生产工艺流程淄博金晶川新材料科技有限公司
2018年1月30日 黑碳化硅微粉经过多个工艺流程炼制成不同粒度,满足不同工业需求,严格的原材料选配以及严格的生产工艺是质量的关键。一、原料.
SiC器件定制 BASiC l 基本半导体碳化硅功率器件领军品牌
完整的4/6寸生产流程线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的器件生产或部分工艺步骤定制；. ▷ 全生产流程可控,
功率器件工艺材料双雄并起：SiC和GaN基础器件与非网
碳化硅的结构特性及优缺点. 碳化硅（SiC）俗称金刚砂,为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。自1893年起碳化
SiC材料有哪些的性能？ 知乎专栏
上世纪四五十年代,以硅(Si)和锗(Ge)为代表的代半导体材料奠定了微电子产业的基础。经过几十年的发展,硅材料的制备与工艺日臻,Si基器件的设计和开发
SiC器件定制 BASiC l 基本半导体碳化硅功率器件领军品牌
完整的4/6寸生产流程线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的器件生产或部分工艺步骤定制；. ▷ 全生产流程可控,
BASiC l 基本半导体碳化硅功率器件领军品牌
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体领军企业,致力于碳化硅功率器件的研发与产业化,对碳化硅器件的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用
SiC tubes with CARBOGUARD® wrapping for heat exchangers 西格
碳纤维缠绕技术转移碳化硅管——对碳化硅热交换器的额外保护及可靠性. 对于涉及高度腐蚀介质的严苛应用领域,工艺技术业务部提供具有碳化硅（SiC）管的管式
研究人员发现低成本生产SiC的工艺电子工程专辑
2017年9月28日 为了降低SiC的制造成本,美国北卡罗莱纳州立大学的研究人员设计了一种PRESiCE工艺,并搭配TI XFab实现低成本的SiC功率MOSFET
碳化硅SiC陶瓷的烧结工艺简述 佳日丰泰
碳化硅陶瓷材料具有高温强度大,高温抗氧化性强,耐磨损性能好,热稳定性,热彭胀系数小,热导率大,硬度高,抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。在汽车、机械化工、
中车时代电气6英寸碳化硅（SiC）生产线首批芯片试制成功_首页_株洲中
2018年1月30日 时代电气半导体事业部6英寸碳化硅（SiC）生产线是国内首条6英寸SiC 芯片结构设计、高温离子注入机等50余台工艺设备和90余项工艺调试,
功率器件工艺材料双雄并起：SiC和GaN基础器件与非网
碳化硅的结构特性及优缺点. 碳化硅（SiC）俗称金刚砂,为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。自1893年起碳化
SiC材料有哪些的性能？ 知乎专栏
上世纪四五十年代,以硅(Si)和锗(Ge)为代表的代半导体材料奠定了微电子产业的基础。经过几十年的发展,硅材料的制备与工艺日臻,Si基器件的设计和开发
深入探讨碳化硅工艺：半导体材料的新一代继承者世强元件电商
2016年3月9日 碳化硅SiC材料的性能、SiC器件展现出的优良特性以及功率半导体器件的需求持续增长,激励着人们对其工艺与器件开发上孜孜不倦的追求。
碳化硅 北京世纪金光半导体有限公司
【金光炫技】 "世纪金光"碳化硅晶片划片裂片工艺再添新高！ 碳化硅晶片是第三代半导体关键基础材料,在微电子、电力电子和半导体照明器件等领域有着重要的应用和
中科院成功研制4.03米世界口径单体碳化硅反射镜 新浪科技
2018年8月21日 大口径光学反射镜的制造难度,主要集中在反射镜镜坯制造、反射镜光学加工等制造工艺环节。从碳化硅粉末,到终变成高刚度、高面形精度的4米
碳化硅 409212 ChemicalBook
重结晶碳化硅砖是以高纯碳化硅(SiC≥99%)为原料,采用湿法超细磨粉料调浆、浇注工艺,经超高温烧成,因而此种砖具有比氮化硅结合的碳化硅砖更高的高温断裂
我国第三代半导体材料制造设备取得新突破
近日,863 计划先进制造技术领域"大尺寸SiC 材料与器件的制造设备与工艺技术 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料称之为第三代半导.
3D SiC 碳化硅工艺技术头条百科
2018年7月23日 3D SiCTM是深圳基本半导体有限公司独有的碳化硅（SiC）工艺技术,能够充分利用碳化硅的材料潜力,实现更高功率和更低损耗。通过掩埋掺杂栅极
碳化硅 STMicroelectronics
随着市场竞争愈演愈烈,基础材料的成本不断降低,碳化硅的供应链变得越来越稳健。意法半导体一直在努力改善材料和工艺质量。随着材料和基于SiC技术的产品 变
修改：功率器件必读：SiC材料、工艺及功率器件简介 求是缘半导体
2017年1月16日 SiC作为半导体器件中的重要材料,在高温、功率、发光等领域都有着广泛应用。采用SiC 材料制成的MESFET、MOSFET、JFET、BJT等元件的工作
我国研制出4米大口径碳化硅非球面光学反射镜新华网 新华社
2018年8月21日 经历数百次实验探索与工艺验证,项目研发团队突破了一系列关键技术,建立了大口径碳化硅镜坯制造平台,并先后研制成功2米、3米单体碳化硅镜
研究人员发现低成本生产SiC的工艺电子工程专辑
2017年9月28日 为了降低SiC的制造成本,美国北卡罗莱纳州立大学的研究人员设计了一种PRESiCE工艺,并搭配TI XFab实现低成本的SiC功率MOSFET
